当前内存颗粒制造商和详细参数
现代粒子:
现代公司作为世界上最大的内存颗粒制造商之一，自进入中国以来，假货如影随形，品种之多令人不寒而栗。以前所谓的现代原厂记忆只是用了一些招数，比如贴塑料纸，画画，现在真的假货出来了，不仔细看真的会被假货骗。与此同时，HY的内存颗粒也一直中规中矩。除了TSOP II封装的颗粒，其他封装产品根本没有生产出来，暴露了假货的致命点。虽然外观很美，但最终也难逃假货的命运。
目前主流的内存颗粒有两种，默认频率为200MHz的D-43颗粒和默认频率为250MHz的D-5颗粒。
海力士颗粒:
与英飞凌类似，海力士曾经是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司独立出来，改名为海力士，所以严格来说，其产品已经不能称之为“现代存储器”。
金士顿系列:
虽然出道比KINGMAX晚，但在国内却以迅雷不及掩耳之势走红。也许主要原因是记忆的质量。同样，假冒盒装金士顿出现在市场上。辨别真假非常简单。首先，正宗的密封贴，印刷色彩丰富。假冒产品要低劣得多。
如果看不透包装的外观，那就看内存颗粒。为了节约成本，假货通常使用廉价的杂牌内存颗粒，而正品主要是三星和HY。但你必须小心抛光颗粒。还有一招就是拨打内存中的800号码来辨别真假。
三星原装颗粒:
三星和现代的原厂记忆一直比较推崇，从去年进入市场就没闲过，频频被假冒产品骚扰。
现在三星原厂的所谓仿冒品就像以前的散装条一样，做工粗糙，PCB质量差，重量比原厂条轻。记忆颗粒的激光字体从原厂看非常清晰，而假冒产品有擦痕。
在内存的背面，还可以看到正品的路线清晰自然，而假货杂乱无章，包括焊点质量，谁真谁假一目了然。
为了防止假冒三星原装内存的代理商提前使用防伪技术，在真内存上贴了激光三星金条贴纸，原厂包装上贴了质量保证卡。我相信除非这些造假者花大价钱，否则还是很难和正品配件的质量抗衡。
三星记忆颗粒上的数字“TC”，其中“T”代表TSOP包装。
一、三星DDR系列内存条:
三星TCB3颗粒:
TCB3是三星推出的一款6ns DDR粒子，可以稳定工作在PC2700，2-2-2-X的时序，参数非常优秀。另外在PC3200中也可以工作，但是不能继续保持这么高的时序。200MHz时的时序是2-3-3-6，但已经很不错了。TCB3的频率限制在230MHz左右，对于默认值为166MHz的内存来说是非常大的。TCB3对电压不是很敏感，3.0V频率提升不是很大，现在看这个粒子，有点过时了。
三星TCCC颗粒:
TCCC是三星TCC系列(PC3200)中编号为“C”的粒子，表示是PC3200时预置的CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz和3-4-4-8的时序，而默认可以保持200MHz的2.5-3-3-6的时序。因为TCCC粒子的价格相对便宜，所以和现代D43一起成为了优秀的代表。另外，很多DDR500的内存也使用了TCCC粒子，但是因为接近极限频率，留给这个内存的超频空间非常小。电压对TCCC粒子的超频有一定影响，但在2.8V V基本能达到最高频率
三星TCC4颗粒:
TCC 4: TCC 4是三星另一款5ns DDR400内存颗粒，但并不常见。在一些品牌的PC3200低端内存甚至PC2700内存上都可以看到。TCC4不适合超频用户，因为它在压力下只能稳定在210-220MHz，最高3-3-3-X的时序模式，对电压非常不敏感，只适合追求容量和性价比的用户。
三星TCC5颗粒:
TCC5:TCC5是三星TCC系列的新品，各方面都比它的前辈TCC4好很多。一般用在DDR466内存产品上，超频性能非常好。该内存默认工作频率为233MHz，初始频率高于TCC4，默认工作序列可达2.5-3-3-x，超频模式下可工作在250MHz和3-4-4-X，对电压不敏感。与TCCC和现代的D43相比，这种粒子并不常见，而且它的价格也相对较高。对于AMD AMD，Intel平台，它可以在200MHz提供良好的时序，在超频时提供良好的频率。是个不错的选择。
三星TCCD颗粒:
TCCD:TCCD是另一个经典的高频粒子，在2-2-2-X的时序中可以稳定工作在220MHz，在2.5-4-4-X的时序中也可以稳定工作在超过300MHz的频率，是目前工作频率最高的DDR存储芯片。TCCD对电压比较敏感，但是不需要太高的电压就可以完全进入高效率状态，在2.8V或者更低的电压就可以实现，几乎适用于所有主流主板。目前使用TCCD颗粒的内存产品在大部分主板上都可以轻松达到DDR600的水平，可以满足不同用户的需求。与BH-5相比，TCCD在高频下的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补。目前几乎所有的内存带宽记录都是由TCCD创造的，很多使用TCCD粒子的品牌内存也成为了超频玩家追捧的对象。
三星UCCC颗粒:
此外，三星UCCC的低延迟功能也受到玩家的追捧。选用带UCCC颗粒的DDR400内存条，默认工作时序为3-3-3-6。可以工作在240MHz，2.5-3-3-X，没有电压超频模式。相对价格也更便宜，非常适合大众选择。
三星DDR2系列内存条
GCCC是目前最常见的三星颗粒，多用于DDR2-400产品。
使用三星ZCD5颗粒的三星金条DDR2-533可以稳定工作在4-4-4-X时序的DDR2-667模式下，不需要电压超频，更有能力挑战DDR2-900。
目前世界上最快的三星金条DDR2-800使用的是三星ZCE7颗粒。
最近生产的三星颗粒上，厂商logo已经从“SAMSUNG”改成了“SEC”。
在DDR2时代，三星全面进入GC和ZC(G是FBGA封装，Y是FBGA-LF)以及SC和YC的系列，采用90nm的生产工艺，使得同样的晶圆可以生产更多的颗粒，从而降低了成本。YC是最小的包装，性能最好，现在市场上很少见。
目前比较常见的有GCCC(多用于DDR2-400)、* * * 5/ZD5(多用于DDR2-533)、***6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等。这些内存颗粒在超频方面也有着不可小觑的实力，依然保持着低延迟的风格。不过，在更改编号(从三星改为SEC)后，默认计时参数已被保守设置，但一些DDR2-533默认延迟仍设置为4-4-4-10。一般情况下，三星DDR2-533内存的定时参数可以稳定在3-3-3-4，优势明显，这也是三星金条内存质量非常好的原因之一。GCCC和***5粒子在5-5-5-15的参数下大多超频到DDR2-800以上。三星金条作为三星galaxy的原装内存，大多使用这种颗粒。
KINGMAX系列:
KINGMAX的产品以TINYBGA的封装形式而闻名，同时由于工艺的独特性，也在一定程度上抑制了假货的生存。去年，为了丰富产品线，KINGMAX推出了一系列采用TSOP封装技术的SUPER-RAM。当然，这也给制假工厂带来了另一个盈利点。
不过KINGMAX也意识到了这一点，对这一系列内存使用了很多防伪手段。最值得注意的是，在PCB正面的SPD下，新设计了一个ASIC芯片(专用芯片)。粒子采用KINGMAX专利的TinyBGA技术封装，内部存储ID码，全球独一无二。同时附上800电话的查询贴，让假货无处藏身。
Kingmax存储器全部封装在TinyBGA(微小球栅阵列)中。而且封装方式是专利产品，所以Kingmax颗粒的内存条都是工厂自己生产的。Kingmax内存颗粒有64Mbits和128Mbits两种容量。您可以在这里列出每个容量系列的内存粒度型号。
容量备注:
Ksva 44t 4a0a-64mbits，16M地址空间× 4位数据宽度；
Ksv884t 4a0a-64mbits，8M地址空间× 8位数据宽度；
Ksv244t4xxx-128mbits，32M地址空间× 4位数据宽度；
Ksv684t4xxx-128mbits，16M地址空间× 8位数据宽度；
Ksv864t4xxx-128Mbits，8m地址空间× 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，在型号后用一个短线符号隔开，以标识内存的工作速率:
-7A——PC 133/CL = 2；
-7——PC 133/CL = 3；
-8A——PC 100/CL = 2；
-8——PC100 /CL=3 .
举个例子，一个Kingmax内存条由16块KSV884T4A0A-7A组成，其容量计算为:64Mbits ×16块/8=128MB(兆字节)。
华邦系列
华邦(Winbond)是台湾省著名的内存条制造商。华邦生产的DDR内存颗粒在玩家心目中的地位是其他任何厂商都无法替代的。华邦的BH-5内存芯片已经成为高端内存的代名词。
1、BH-5
BH-5是华邦最著名的内存颗粒，也堪称目前最著名的内存颗粒！这些粒子以超级记忆参数而闻名，对电压相当敏感。大多数BH-5粒子可以在2-2-2-X的参数下工作，当然，在3.2-3.4V的高电压下，一些使用BH-5粒子的最好的存储器甚至工作在280MHZ的频率下，仍然保持2-2-2-X的时序。
当然，这种体质的BH-5粒子比较少见，对内存的整体要求也相当高。如果你的主板不支持2.8V以上的内存调压，那么有BH-5颗粒的内存可能并不适合你，但是对于那些狂热的超频玩家来说，OCZ的DDR升压器可以帮助他们吸干BH-5的所有能量，最高3.9V的电压可以轻松让你的BH5达到DDR500，2-2-2-X以上。当然，我不建议在正常使用中使用这么高的电压(毕竟大部分都用)
2003年是BH-5颗粒产量最大的一年，但目前华邦已经宣布停产BH-5颗粒，所以市场上新销售的内存中使用BH-5的比例很小，大部分出现在价格极高的高端内存中，如Mushkin黑电平ram、Kingston Hyper X、Corsair XMS、TwinMos、Buffalo以及少数低端内存产品。当然，另一种寻找BH-5内存的方法是在卖家的库存产品中获取，或者在二手市场，网友之间。
2、甲烷-5
CH-5颗粒是华邦继BH-5之后推出的另一款用于DDR400内存产品中试用的内存芯片，可以称之为BH-5的缩小版。为什么这么说？因为CH-5超频后工作参数只能达到2-3-2-X，频率大概在220-230MHZ左右，与BH-5相差甚远。而且对电压的敏感度不如BH-5，高于3V的电压通常没有明显效果。虽然这种现象主要是由内存颗粒的物理构成决定的，但与内存厂商的PCB设计和使用的材料有关系。
不同批次的CH-5粒子之间也有很大的差异，少数CH-5粒子也能达到BH-5能达到的结果，当然概率很小。目前，华邦继续生产CH-5粒子。BH-5停产后，缩水版CH-5逐渐被众多高端内存购买，成为新一代“极品”。很多使用CH-5粒子的存储器，经过适当的加压，可以工作在200MHZ 2-2-2-X的模式。目前海盗船XMS、金士顿Hyper X等高端品牌的内存产品部分型号在
3、BH-6
BH-6作为BH-X系列的6ns版本，也有非常不错的表现。部分批次的BH-6的超频性能甚至可以和BH-5媲美，大部分BH-6也可以在2-2-2-2X的参数下工作，在3.2-3.4V V的电压下可以稳定工作在240-250MHz。
但华邦在推出BH-6粒子后不久就因产能不足而停止了BH-6粒子的生产，因此BH-6粒子的数量甚至比BH-5粒子还要稀少。Mushkin Special 2-2-2，Corsair XMS，Kingston Hyper X，Kingston Value Ram PC2700等内存产品都使用了BH-6颗粒。
4、甲烷-6
CH-6是华邦CH-X系列的6ns版本。虽然大家都不太看好华邦的这款低端DDR颗粒，但它还是继承了华邦系列一贯的优秀品质。大多数情况下，CH-6和CH-5差不多，但是不容易稳定在2-2-2-X的时序，和CH-5一样，对电压不是很敏感，最高工作频率应该是220MHz和2-3-2-X，CH-6面对的是高性价比的市场，常见于一些低端的内存产品，比如Kingston Value Ram，Corsair Value Ram，Mushkin Basic系列。
5、UTT
UTT是华邦最新的DDR内存颗粒，可以说和BH-5颗粒非常相似。无论最终能达到的频率和工作顺序，和BH5不同，UTT颗粒需要稍微高一点的电压才能做到这一点，所以大多数超频玩家选择让UTT工作在3.4-3.6V。
有一点UTT比BH-5颗粒做的更好，那就是UTT颗粒无论双面还是单面分布超频性能都差不多，但是BH-5更喜欢单面分布，所以BH-5系列内存的最佳超频搭配是2x256MB，但是UTT无论2x256mb还是2x512MB都同样优秀，在1GB内存中已经成为主流。
识别UTT颗粒有点困难。你可以通过颗粒表面印刷的商标很容易地识别出上面提到的其他四种华邦内存条。但是打印出来的UTT颗粒种类繁多，在寻找的时候会带来很大的难度。UTT普通颗粒表面印有M.Tec或Twinmos的商标，具有华邦系列存储器的特征(颗粒正面对称分布两个小凹圆，存储器侧面可见两个短距离金属横条)。
一般具有华邦内存颗粒特征，但不印有BH-5/CH-5的DDR400颗粒通常是UTT颗粒。一旦你有了UTT粒子的内存，你会发现拥有一个1GB容量，可以工作在275MHz 2-2-2-X时序的内存是多么令人兴奋。目前在OCZ黄金VX系列、OCZ超值VX系列、TwinMos Speed Premium系列等品牌的低价内存中都可以看到。1GB容量的价格在150美元左右，非常超值。
华邦系列记忆颗粒的特点——颗粒的正面和左侧对称分布着两个小凹圆，在内存的侧面可以看到两个短距离的金属横条。
微米系列颗粒
镁系DDR内存颗粒以超频性能优异，兼容性好而著称。很多超频玩家称之为“中庸内存”，镁粒在中端领域无人能及。目前常见的DDR颗粒有-5B C/-5B G系列。
1 、-5B C
说实话，镁光的5B系列颗粒应该已经很受欢迎了。这个-5B C粒子不仅可以达到很高的频率，而且时序很棒，通常可以稳定工作在230MHz和2.5-2-2-X，虽然CAS延迟不能达到2.0或更低，但是TRD和TRP很低，都可以稳定在时序2，当然工作频率可以更高。-5B C对电压也很敏感，在3.0V基本可以达到250MHz以上的最高频率。
镁粒的性能非常好，CAS2.5可以媲美BH-5系列CAS2，而且这个内存的异步性能非常好，特别有助于高端Athlon64和Intel平台处理器FSB的推广。目前很多厂商推出的PC3200内存都采用了Magnum的这款芯片，其中最引人注目的是日本的Buffalo品牌，还有Crucial、OCZ等品牌。
-5B G
-5B G粒子是前者-5B C的改进版，虽然也是5ns芯片，但能达到的最高频率比前者高。著名的Crucial Ballistix系列存储器就采用了这种类型的存储粒子，不仅工作频率高，而且存储时序也非常出色。
-5B G粒子可以在保持高频率的同时拥有出色的计时。大多数-5B G粒子可以在250-260MHz和2.5-2-2-X时序下工作，这比大多数现代的D43/D5粒子要好。目前1GB critical Ballistix的价格在250美元左右。另外，你可以在镁光的原装DDR400上找到这个颗粒。
美光的记忆芯片号描述如下:
美光的序列号是相当详细的，因为它统一了所有DRAM芯片的序列号，包括历史悠久的EDO(在一些特殊设备中仍会使用)和未来的DDR-2芯片，所以参数很多，甚至在封装类型上也体现了含铅和无铅封装，不过好在分类比较清晰。值得注意的是，该芯片的版本与三星的基本一致，规则更新较晚，但有一些特殊规定。如果标志是LF，S2，SF，T2等。，表示产品集成了两个内核，可以认为是堆栈式封装)。特殊功能指的是产品的一些可选功能，但自刷新从16Mb的SDRAM开始就已经是标准设计了，所以这一项无关紧要。
在芯片结构上，代表容量单位的字母(K，M，G，这三个字母大家应该很熟悉)后面的数字就是芯片的位宽。乘以前面字母和数字的组合的结果就是芯片的容量，单位是bit。比如图中的例子是32M8，也就是说位宽是8bit，乘以32M，总容量是256Mbit。
微米内存颗粒的容量鉴定比三星简单多了。我们用编号MT48LC16M8A2TG-75来说明美光的记忆的编码规则。
含义:
mt-美光的制造商名称。
48型内存。48代表SDRAM；46代表DDR。
LC-电源电压。LC代表3v；c代表5v；v代表2.5V
16M8——粒度内存容量为128Mbits，计算方法为:16M(地址)×8位数据宽度。
a2-内存内核版本号。
TG包装法，TG是TSOP包装。
-75-内存的工作速度，也就是133 MHz；；-65表示150MHz。
以上面的芯片图为例，我们可以看到它的容量为256Mbit，位宽为8位，采用TSOP-II封装。产品版本应该是第一代(无版本号)，速度是DDR-400(3-3-3)。
例子:一个微米DDR内存条由18个编号为MT46V32M4-75的颗粒组成。内存支持ECC功能。所以每个存储体是奇数个存储粒子。
其容量计算为:容量32M ×4bit ×16芯片/8=256MB(兆)。
英飞凌系列颗粒
英飞凌(Infineon)科技作为内存界的元老，在SD时代有着无与伦比的超频性能，有着完美的兼容性。有人称英飞凌为西门子。其实英飞凌的前身是西门子半导体公司。在SDRAM时代，我们经常看到带有西门子字样的内存，但是现在英飞凌早就独立了，所以不再叫西门子内存了。目前英飞凌常用的几款DDR内存颗粒在超频方面都有不错的表现。
1、B5
这是英飞凌的5ns内存颗粒，但是比较少见，因为只有海盗船XMS3200 rev. 3.1使用B5颗粒，默认设置是200MHz，2-3-3-6时序，相当不错，整体特性和华邦的CH-6颗粒很像。B5颗粒对电压也很敏感，但不如华邦颗粒明显。即使加压后，超频幅度也很一般，在2.9-3.0V的电压下只能工作在220-230MHz，试图超过这个电压是浪费时间。
2、BT-6
这是英飞凌的6ns颗粒，主要用于PC2700内存产品。和B5很像，但在超频幅度上略逊于后者。金士顿的KVR2700采用BT-6颗粒，可以稳定工作在215MHz的时序，2.5-3-3-11；目前6ns BT-6比较落后，但是很容易达到200MHz和CAS2.5的水平，如果想达到更高的频率和参数，必须在电压上下功夫。总的来说，BT-6的优势是以PC2700的价格带给你PC3200的体验。
3、BT-5
目前最常见的英飞凌DDR400芯片是BT-5，默认工作频率是240MHz，3.0-3-3-8。DDR 400通常有2.5-3-2-X的优化时序，看起来很普通，但BT-5擅长以频取胜，对电压高度敏感。2.8V以上，大部分BT-5粒子可以工作在2400。目前这款BT-5颗粒已经在很多品牌使用，包括英飞凌原装PC3200内存，是一款性价比不错的产品。
4、CE-5/BE-5
在BT-5 BT-5 200MHz的时序饱受诟病后，英飞凌的另一款5ns DDR颗粒进入市场。CE-5粒子可以稳定工作在200MHz 2-3-2-X的时序，部分产品可以达到260MHz以上的频率。但目前CE-5颗粒的内存质量参差不齐，有些产品甚至无法稳定在225MHz以上。此外，新推出的BE-5粒子可以实现单面565，438+0.2 MB的容量，无论是参数还是极限速度都优于CE-5。
英飞凌内存芯片号描述如下:
过去，有人认为这是现代(HYUNHAI)在HYB开始的内存芯片，但现在不要再犯这个错误。在最新的编号中，英飞凌统一了DDR和DDR-2的产品编号。比如DDR-2 400和DDR-400的速度号是一样的，但是在具体产品中所代表的意义是不一样的。英飞凌的编号比较简单(由于DDR内存目前由四个逻辑库组成，英飞凌取消了这个编号，但估计在DDR-2时代，由于增加了8个库，会有这个编码)。
西门子内存颗粒(实际上是上面的英飞凌)
目前，西门子旗下的英飞凌在国内市场只生产两种内存颗粒:128Mbits容量的颗粒和256Mbits容量的颗粒。数字详细列出了其存储器的容量和数据宽度。英飞凌的内存队列组织和管理模式是每个粒子由4个存储体组成。所以它的记忆粒子模型比较小，也是最容易分辨的。
HYB39S128400表示128MB/ 4bits，“128”表示颗粒的容量，后三位表示内存的数据宽度。其他的也是如此，比如:HYB39S128800，即128 MB/8 bits；HYB39S128160是128 MB/16 bits；HYB39S256800为256 MB/8位。
英飞凌记忆粒子工作率是通过在其模型末端加一条短线，然后标注工作率来表示的。
-7.5-表示存储器的工作频率为133 MHz；；
-8-表示存储器的工作频率为100MHz。
例如:
1金士顿内存条由16英飞凌HYB39S128400-7.5内存颗粒生产。其容量计算为:128Mbits(兆位)×16 chips /8=256MB(兆位)。
1 Ramaxel内存芯片由8颗英飞凌HYB39S128800-7.5内存颗粒生产。其容量计算为:128兆位× 8芯片/8 = 128兆位。
南亚科技(南阳)
南亚存储芯片编号描述如下:
南亚的编号也统一为SDRAM、DDR SDRAM、DDR-2 SDRAM，也比较简洁。芯片结构方面，规则和美光的一样，没有逻辑银行的编号编码，这里不做详细说明。不过，也有很多南亚制造的内存产品，如Elixir和PQI，但这些产品非常罕见，没有公布明确的编码规则。
尔必达(尔必达)
尔必达是日立和NEC各自内存部门合并的结果，所以在产品编号上会有两种完全不同的规则和标识。早期HM大概是原日立分部的延续，但目前基本上已经转到DD开头的编号规则了。最近尔必达的势头比较大，产销形势明显好转。采用其芯片的金士顿模块已经在国内上市，相信未来我们可以看到越来越多采用尔必达芯片的产品。
尔必达内存条的编号描述如下:
尔必达的数量也比较单一。需要指出的是，速度号后面可能还有其他代码，比如L代表低能耗，I代表工作温度范围很宽的工业产品(-40到85°C)，但都很少见，这里就不多说了。另外，代码中的第一个字母e，一般是不存在的，在芯片上直接是DD的形状，e就成了——ELPIDA的英文名。
摩西·维特利奇
硅存储器芯片的序列号描述如下:
Mosi的序列号也很详细清晰，但是芯片结构一栏很难理解。我们可以这样看:前三位是总容量，后两位是位宽(80=8bit，40=4bit，16=16bit，32=32bit)，其他的就好理解了。
2003年全球十大DRAM厂商排名:
可以看到，排名前十的厂商分别是三星(韩国)、美光(美国)、英飞凌(德国)、海力士(韩国)、南亚(中国台湾省南亚)、尔必达(日本)、中国台湾省Mosel Vitelic。
最后需要强调的是，所谓主流厂商是指全球DRAM销量前十的厂商，很多模组厂商也会自己生产内存芯片。但是请注意，它们不是真正生产的，只是包装的！比如KingMax，Kingston，Wigan (ADATA，VDATA)，宇瞻，TwinMOS等。都有生产自己品牌的芯片，但是自己不生产内存晶圆，而是从那些大厂买晶圆自己封装或者找代工厂。